韓國將加大對芯片研發(fā)的支持 應對中國企業(yè)崛起

責任編輯:zsheng

2018-07-22 08:53:09

摘自:環(huán)球網

北京時間7月20日韓聯(lián)社報道,韓國工業(yè)部長白云揆(Paik Ungyu) 日前表示,韓國政府將加大對大型研發(fā)項目的支持,以開發(fā)尖端內存芯片,應對中國競爭對手的崛起。

北京時間7月20日韓聯(lián)社報道,韓國工業(yè)部長白云揆(Paik Ungyu) 日前表示,韓國政府將加大對大型研發(fā)項目的支持,以開發(fā)尖端內存芯片,應對中國競爭對手的崛起。

近兩年來,DRAM價格一路高歌猛進,創(chuàng)下近30年來最大漲幅,而在這場漲價潮中三星電子、SK海力士、美光三大巨頭賺得盆滿缽滿。

芯片目前是韓國最大的出口產品,而中國是全球最大的芯片市場。2016年以來,中國相繼在武漢,南京、成都等城市投資建設半導體制造基地,投入資金達到700億美元之巨。這讓韓國政府和企業(yè)感到憂慮,同時業(yè)界對韓國芯片行業(yè)前景開始看淡。

韓國本土芯片制造商擔心,中國政府的舉措可能會以比預期更快地速度縮小與韓國的技術差距。屆時,如果產量得不到謹慎控制,將導致全球芯片價格暴跌。

“中國正加緊發(fā)展自己的半導體產業(yè),縮小與韓國的差距,這還可能導致全球供應過剩,內存芯片價格的增速最近有所放緩,令人擔心超級周期正接近頂峰。” 白云揆(Paik Ungyu) 說道:“政府正在考慮支持設計及生產下一代存儲芯片的大型項目,并計劃在今年下半年進行初步可行性研究,”

雖然中國政府決心要改變本國半導體產業(yè)的現狀,但中國企業(yè)在技術層面與世界先進水平還有較大差距。三星已經開始量產第五代96層3D V-NAND閃存顆粒,而長江存儲的32層NAND還在試產階段,良率也不盡人意。

另外,三星計劃在2019年內投入150億美元增加閃存產量,做好了打價格戰(zhàn)的準備。在這種情況下,中國的半導體企業(yè)僅靠政府的補貼和支持將難以與三星進行長期的抗爭。

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